| 技術(shù)特點： ICP-98A型是一種刻蝕速率高、加工精度高,、損傷小的新一代先進刻蝕機它由一組大功率的射頻激勵電源通過感應耦合在反應室內(nèi)產(chǎn)生高密度等離子體,，而由另一組功率較小的偏壓電源引導離子垂直于被刻蝕物體運動，從而達到各向異性和高速低損傷刻蝕的目的,?？煽涛g出幾十納米的近90度陡直的圖形；還可用于百微米級的MEMS Si深刻蝕和W的深刻蝕,。 ICP-98C型： 該機采用帶Load-Lock雙室結(jié)構(gòu),，可以在反應室不接觸大氣的情況下送取基片，它可以使用氯基氣體進行刻蝕,?；捎煤だ鋮s水冷控溫措施，可在高功率下進行刻蝕,，工藝范圍變得寬廣,。渦輪分子泵及機械真空泵都采用了特殊措施，增強了抗Cl氣腐蝕性,。該機能在低氣壓下刻蝕,，從而獲得深亞微米圖形，并能減少片子表面的聚合物淀積,。 主要指標： 1.激勵電源：13.56MHz 1500W,；帶匹配器和功率計。1臺,。 2.偏壓電源：500W,；帶匹配器和功率計。帶定時器,。1臺,。 3.真空系統(tǒng)：620升/秒分子泵、8升/秒機械泵各1臺,。帶真空計,。 4.反應室尺寸：Ф300mm 5.氣路系統(tǒng)：6路進氣 (其中2路可作清洗)；4個質(zhì)量流量計,，4路顯示,。 6.可加工片子尺寸：4英寸及小片。 7.均勻性：±5% (4英寸硅片內(nèi)) 應用狀況： 適用于科研和小規(guī)模生產(chǎn),。ICP-98A型用F基氣體,，可刻蝕Si、Poly-Si,、SiC,、Si3N4、SiO2,、W,、WSi,、Mo、MoSi,、Ta,、TaSi、石英等,，用O2氣還可去膠,；ICP-98C型用Cl基氣體，可刻蝕Al,、GaAs,、GaN等多種金屬和化合物半導體薄膜材料，也可用F基氣體刻蝕Si,、Poly-Si,、SiNx、SiO2,、W,、WSi、Mo,、MoSi,、Ta、TaSi,、石英等,。 該機已售往北京、上海,、杭州、新加坡,、蘇州,、深圳、西安,、香港,、南京、等地的高校,、科研單位及高技術(shù)公司,。 |
