| 技術(shù)特點： 1. 膜質(zhì)量高。它不同于通常的翻蓋式單室機（易漏大氣而使淀積的薄膜質(zhì)量不高）,，而是一種操作方便的雙室系統(tǒng),。由于采用了特殊的反應(yīng)室結(jié)構(gòu)設(shè)計,，在薄膜生長過程中反應(yīng)室不存在漏大氣的問題,，因此生成的膜質(zhì)量很高。例如,，生長的SiNx薄膜抗氫氧化鉀腐蝕的能力強（可在85oC溶液中抗腐蝕5小時以上）,。 2. 粉塵少。特殊腔室結(jié)構(gòu)克服了以往常規(guī)方法淀積時粉塵多的缺點,。 3. 均勻性好,。反應(yīng)室內(nèi)采用了多級勻氣系統(tǒng)，故薄膜的均勻性好,。 4. 淀積溫度范圍寬（100～600℃可調(diào)）,。 5. 工藝程序自動化。觸摸屏控制,、動畫實時顯示工藝過程的狀況和提示,。 6. 射頻電源自動匹配。 主要指標： 1. 特殊的平板式雙反應(yīng)室系統(tǒng)1套,。帶加溫和勻氣系統(tǒng),。 2. 機械泵2個；增壓泵和分子泵各1套,，帶控制電源,。 3. 射頻電源一套，帶正向功率和反射功率計指示,，帶自動匹配器,。 4. 數(shù)字定時器1只，精度1秒,。 5. 數(shù)字溫度控制系統(tǒng)1套,。 6. 工藝程序自動化,。觸摸屏控制、動畫實時顯示工藝過程的狀況和提示,。 7. 質(zhì)量流量計4個,；氣路4路 ( 可增選 )。 8. PECVD淀積：二氧化硅,，氮化硅,，α-Si和Poly-Si等薄膜 9. 均勻性誤差：≤ ± 4％ ( 4英寸內(nèi) ) 10. 4英寸,，兼容3英寸,，2英寸及小碎片。 11.工作溫度： 100～600℃ 應(yīng)用狀況： 除淀積SiN,、SiO2,、非晶硅、多晶硅外,，還可用于探索特殊新材料的研究,。特別適合科研和小規(guī)模生產(chǎn)，由HQ-2型升級后的HQ-8A型PECVD增加了自動程序控制和射頻自動匹配,，使操作更加簡單,、重復(fù)。 |
