技術(shù)特點: 等離子體浸沒離子注入技術(shù)是一項新的材料表面改性技術(shù),其主要用于絕緣襯底上的硅(SOI)和超淺結(jié)(USL)的制造 ,。其與傳統(tǒng)束線離子注入相比有設(shè)備簡單,、成本低;可同時實現(xiàn)大面積注入,,摻雜效率高,;可實現(xiàn)三維復(fù)雜結(jié)構(gòu)工件摻雜;摻雜能量無理論限制,,能實現(xiàn)超低能離子摻雜,。 主要指標: 1. 注入結(jié)深:≤5nm @(100eV, ),; 2. 能量精度:±2%,; 3. 注入劑量均勻性和重復(fù)性:±3%。 應(yīng)用狀況: 用等離子體浸沒離子注入技術(shù)可獲得高均勻性的超淺結(jié),、黑硅等,。該技術(shù)目前已在COMS器件超淺結(jié)制造等半導(dǎo)體領(lǐng)域、太陽能電池光伏領(lǐng)域,、醫(yī)用骨頭改性等生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域等廣泛應(yīng)用,。
等離子注入制備的高效太陽能電池黑硅
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