成果簡介:
1,、爐內(nèi)合成銻化鎵多晶,，其優(yōu)點是合成速度快、化學配比好,、雜質(zhì)沾污少,，多晶的生產(chǎn)成本低。
2,、熔體表面的浮渣的去除技術(shù),，保證單晶生長的進行。
3,、單晶生長,。用液封直拉法生長2英寸和3英寸直徑、（100）和（111）晶向,、摻蹄N型低阻,、摻鋅P型低阻和非摻雜銻化鎵單晶錠，晶體的位錯密度低,、殘留應(yīng)力小,、成晶率高。
4,、晶片的切割,、研磨、拋光,、腐蝕和清洗等工藝技術(shù),。可達到晶片的開盒即用技術(shù)要求,。
成果狀況:
目前已中,、小批量生產(chǎn)銻化鎵多晶和單晶片。產(chǎn)品銷售給美國,、日本,、新加坡和國內(nèi)的多家用戶，近5年已累計銷售近幾百萬元人民幣,。
應(yīng)用前景:
生產(chǎn)銻化鎵多晶,、銻化鎵單晶拋光片，用于外延生長遠紅外激光器,、發(fā)光管用材料和制造太陽能電池,、光電轉(zhuǎn)換器。
應(yīng)用領(lǐng)域:
半導(dǎo)體光電子材料,。
合作方式：
技術(shù)轉(zhuǎn)讓或技術(shù)入股,。
銻化鎵晶體和單晶片
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