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新材料
氮化鋁晶片

性能: 

    （0001）晶向,，直徑40-50毫米,，電阻率大于109歐姆厘米,。

成果介紹:
     III族氮化物GaN,、AlN及其三元組合化合物是制造波長(zhǎng)為190nm-350nm的發(fā)光器件和新型大功率電子器件的基礎(chǔ)材料,。AlN具有高熱導(dǎo)率（3.4W/cmK）,，與高Al組份的AlGaN材料和GaN材料晶格匹配等優(yōu)點(diǎn),，是一種研制新型大功率微波器件和短波長(zhǎng)發(fā)光器件的極為理想的襯底材料。 大尺寸AlN單晶材料的研制成功將加快深紫外發(fā)光器件,、新型大功率射頻器件的發(fā)展和在半導(dǎo)體照明,、醫(yī)療衛(wèi)生、生物檢測(cè),、微波通信等領(lǐng)域的應(yīng)用,。

合作方式：
    技術(shù)轉(zhuǎn)讓或技術(shù)入股,。

       
用籽晶生長(zhǎng)的國(guó)內(nèi)第一塊AlN單晶