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一,、項(xiàng)目概況
作為第三代半導(dǎo)體的核心基礎(chǔ)材料之一的ZnO晶體既是一種寬禁帶半導(dǎo)體,，又是一種具有優(yōu)異光電性能和壓電性能的多功能晶體,。ZnO單晶作為一種寬帶半導(dǎo)體材料具有許多應(yīng)用潛力，如制作高效率蘭色,、紫外發(fā)光和探測(cè)器,、新型大功率微波器件等。中國(guó)科學(xué)院的科研人員研究掌握了一種生長(zhǎng)高質(zhì)量,、大尺寸ZnO單晶材料的新型技術(shù)方法-化學(xué)氣相傳輸法（CVT法）,，而且采用CVT法已生長(zhǎng)出了直徑32毫米和直徑45毫米，4毫米厚的ZnO單晶,。
二,、技術(shù)創(chuàng)新點(diǎn)
這種ZnO單晶材料的位錯(cuò)密度為200cm-2,，顯示了相當(dāng)好的材料質(zhì)量。與生長(zhǎng)ZnO單晶的其它方法相比,，采用閉管CVT法生長(zhǎng)ZnO單晶的突出優(yōu)點(diǎn)是生長(zhǎng)設(shè)備成本低,、生長(zhǎng)速度快、材料的質(zhì)量好,。此外,，整個(gè)生長(zhǎng)過(guò)程在封閉的石英管內(nèi)進(jìn)行，無(wú)需攜載氣體,，因而進(jìn)一步降低了材料的生長(zhǎng)成本,。這項(xiàng)技術(shù)的突破對(duì)于提供價(jià)格低、質(zhì)量好的ZnO單晶襯底材料,，滿(mǎn)足研制新型藍(lán)光,、紫外光器件的需求具有重要的意義。
三,、主要應(yīng)用范圍
可用于超高密度光存儲(chǔ),、全色顯示、白光照明,、激光打印,、火焰?zhèn)鞲衅鳌⑽廴緳z測(cè)儀,、紫外光控制器,、紫外光譜儀、透明大功率電子器件和太陽(yáng)能電池的窗口材料等,。
四,、市場(chǎng)情況
以10臺(tái)生長(zhǎng)爐每年可生長(zhǎng)800爐次，預(yù)計(jì)可生產(chǎn)2英寸直徑的ZnO單晶片3000片,。目前2英寸ZnO單晶片的價(jià)格估計(jì)為2-10萬(wàn)元/片,，因此，年產(chǎn)值至少可達(dá)6千萬(wàn)元,。
五,、合作方式：技術(shù)入股。
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