成果簡介:自主研發(fā)出37.5Gb/s的高速率并行光發(fā)射模塊和30Gb/s的高速率并行光接收模塊。高速率并行光發(fā)射模塊主要指標:工作波長850nm,,光子器件為1×12 VCSEL列陣,,列陣驅動電路為深亞微米CMOS專用集成電路,工作電壓為3.3V,,輸入信號為LVDS電平,,單信道傳輸速率為3.125Gbit/s,并行信道數(shù)為12信道,,總數(shù)據(jù)傳輸速率為37.5 Gbit/s,,光纖連接形式為列陣光纖連接器,光纖耦合形式為1×12列陣光纖耦合,。高速率并行光接收模塊主要指標:工作波長850nm,,集成電路工藝為為深亞微米CMOS工藝,光探測器列陣工藝為GaAs工藝,,工作電壓為3.3 V,,輸出電平為LVDS電平,單信道傳輸速率為2.5Gbit/s,,并行信道數(shù)為12信道,,總數(shù)據(jù)傳輸速率為30Gbit/s。 高速率并行光接收模塊:采用無源對準方式,,實現(xiàn)光纖列陣與光探測器列陣之間的耦合,,通過精密插針與帶標準1×12MT頭光纖陣列之間的精確定位,可以實現(xiàn)光纖接入的熱插拔,。 應用前景: 廉價的基于并行光收發(fā)模塊和多模光纖的組合是目前甚短距離(VSR)傳輸技術的主要工作方式,,可以勝任10Gbit/s到40 Gbit/s的甚短距離傳輸需求,對骨干網(wǎng)乃至整個光通信技術都會有重要的影響,。本成果可以應用于甚短距離高速率并行光傳輸系統(tǒng),,具有廣闊的市場前景。 投資效益: 前期需投資約千萬元,,約兩年收回成本,。 合作方式: 技術轉讓或技術入股。 |