| 成果簡介 該課題組發(fā)明了具有量子耦合的寬窄阱組合量子阱結(jié)構(gòu)替代單一寬度的阱,。采用這一發(fā)明，內(nèi)量子效率提高到了 50%～ 60%,，LED發(fā)光強度有了突破性提高,。本技術(shù)已申請國際國內(nèi)發(fā)明專利，在上海等地正在進行產(chǎn)業(yè)化推廣,。 GaN基LED具有以下特點：高效率,、低功耗、節(jié)能,、環(huán)保,；長壽命、低維修成本,；低電壓,、安全；耐惡劣條件,、抗震,。GaN基LED的內(nèi)量子效率是半導體照明產(chǎn)品性能提高的一個核心因素。目前,，歐,、美,、日產(chǎn)品的內(nèi)量子效率水平達到了60%左右，韓國,、中國臺灣地區(qū) 30%～ 40%，國內(nèi)水平在 20%左右,。 在863計劃支持下,，研發(fā)的GaN基LED外延片已達到國際先進水平。藍光LED輸出功率大于12mW(20mA),；綠光LED發(fā)光功率>8mW,，紫外LED在415nm的輸出功率大于9mW(20mA).研發(fā)的LED外延產(chǎn)品在發(fā)光強度、壽命,、可靠性等方面獲得突破性提高,，將對LED產(chǎn)業(yè)技術(shù)形成極大促進。 擁有的專利：已受理,、授權(quán)專利情況13項,。 預期轉(zhuǎn)化方式：技術(shù)轉(zhuǎn)讓，技術(shù)合作,，共同開發(fā),。 |
