| 半導(dǎo)體材料和器件研究方面,，都需要對(duì)半導(dǎo)體的表面方塊電阻進(jìn)行測(cè)量。目前主要采用四探針測(cè)試儀測(cè)量半導(dǎo)體材料的方塊電阻,，但是,，我們了解到，目前國(guó)內(nèi)科研院所使用的四探針測(cè)試儀都是老式的用于硅單晶測(cè)量的,，對(duì)于新興的寬禁帶半導(dǎo)體材料的電阻率測(cè)量無(wú)能為力,，而由于國(guó)外的相關(guān)儀器產(chǎn)品價(jià)格昂貴，使得許多從事寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件研究的課題組沒辦法測(cè)出他們的需要的參數(shù),。 經(jīng)過(guò)兩年夜以繼日的努力,，我們?cè)O(shè)計(jì)研發(fā)了高阻抗四探針測(cè)試儀，不但價(jià)格低廉,，而且性能又能滿足國(guó)內(nèi)目前的科研需求,，填補(bǔ)了我國(guó)的空白，具有很好的市場(chǎng)前景,。 項(xiàng)目產(chǎn)品達(dá)到的主要技術(shù)與性能指標(biāo)：我們?cè)O(shè)計(jì)的高阻抗四探針探測(cè)儀,，電阻率測(cè)量范圍10-4～109Ωcm，方塊電阻測(cè)量范圍10-3～1010Ω/□,，內(nèi)置恒流源電流量程范圍1nA～100mA,，內(nèi)置電壓測(cè)量單元量程范圍10mV～10V,，輸入阻抗大于1013Ω，測(cè)量精度4位半,。 |
